缩略语
PartA 晶体生长基础及缺陷形成
1.晶体生长技术和表征：综述
1.1 发展历史
1.2 晶体生长理论
1.3 晶体生长技术
1.4 晶体缺陷及表征
参考文献
2.表面成核
2.1 晶体环境相平衡
2.2 晶核形成及工作机理
2.3 成核率
2.4 饱和晶核密度
2.5 在同质外延中的第二层成核
2.6 异质外延中的聚集机理
2.7 表面活性剂对成核的影响
2.8 结论与展望
参考文献
3.溶液中的晶体生长形态
3.1 相平衡
3.2 晶体的生长相理论
3.3 影响晶体特性的因素
3.4 表面结构
3.5 晶体缺陷
3.6 成核动力学——过饱和
3.7 溶剂
3.8 杂质
3.9 其他因素
3.10 晶体特性变化过程
3.11 小结
3.A 附录
参考文献
4.晶体生长过程中缺陷的生长及演变
4.1 综述
4.2 包晶：
4.3 条纹和生长区
4.4 位错
4.5 孪晶
4.6 溶液中快速生长完整晶体
参考文献
5.没有约束条件下的单晶生长
5.1 背景
5.2 光滑和粗糙的接触面：生长机理和形态学
5.3 表面微形貌
5.4 多面体材料晶体的生长形貌
5.5 内部形态
5.6 完整单晶
参考文献
6.熔体生长晶体期间缺陷的形成
6.1 综述
6.2 点缺陷
6.3 位错
6.4 第二相粒子
6.5 面缺陷
6.6 孪晶
6.7 总结
参考文献
