本书较全面地介绍常见微电子器件的基本结构、特性、原理、进展和测量方法。为了便于读者自学和参考，首先介绍微电子器件涉及的半导体晶体结构、电子状态、载流子统计分布和运动等基础知识；然后，重点阐述半导体器件中的结与电容等核心单元的特性和机理；之后，详细介绍双极型晶体管、MOS场效应晶体管的基本工作原理、特性和电学参数；在对经典半导体器件基础结构、工作机理和电学特性进行详细阐述后，综述近年来基于硅和新材料的代表性器件；最后，概述半导体器件的表征与测量方法。本书提供配套的电子课件PPT、习题参考答案等。
本书可作为电子信息类专业本科生、研究生相关课程的教材，也可供相关行业的工程技术人员学习和参考。

第1章 半导体物理基础
1.1 半导体晶格
1.1.1 半导体材料
1.1.2 晶体的晶向与晶面
1.1.3 典型半导体的晶体结构
1.2 半导体电子模型
1.2.1 价键模型
1.2.2 能带模型
1.2.3 本征半导体的分布函数
1.2.4 半导体中的E-k关系和有效质量
1.3 载流子的运动与控制
1.3.1 半导体的掺杂
1.3.2 掺杂半导体的载流子分布
1.3.3 掺杂半导体的载流子运动方程
1.3.4 载流子的复合理论
1.4 思考题和习题1
第2章 半导体器件中的结与电容
2.1 pn结
2.1.1 结构与组成
2.1.2 静电特性
2.1.3 稳态响应
2.1.4 瞬态响应
2.2 异质结
2.2.1 形成异质结的材料
2.2.2 能带图
2.2.3 二维电子气
2.2.4 静电平衡态
2.2.5 电流-电压特性
2.3 金属-半导体结
2.3.1 肖特基接触
2.3.2 欧姆接触
2.4 pn结电容
2.4.1 pn结电容的来源
2.4.2 势垒电容
2.4.3 扩散电容
2.4.4 pn结电导
2.5 MOS电容
2.6 思考题和习题2
第3章 双极型晶体管
3.1 结构与工作原理
3.1.1 基本概念
3.1.2 静电特性
3.1.3 特性参数
3.1.4 少子浓度分布与能带图
3.2 稳态响应
3.2.1 电流响应
3.2.2 击穿特性
3.3 频率响应
3.3.1 基区输运系数与频率的关系
3.3.2 高频小信号电流放大系数
3.4 开关特性
3.4.1 晶体管开关等效电路和工作区域
3.4.2 晶体管的开关过程
3.5 思考题和习题3
第4章 MOS场效应晶体管
4.1 结构与工作原理
4.1.1 MOSFET的类型
4.1.2 MOSFET的输出特性
4.2 阈值电压
4.2.1 MOS结构阈值电压
4.2.2 MOS结构阈值电压VT的影响因素
4.3 稳态响应
4.3.1 电流-电压关系的概念
4.3.2 非饱和区电流响应
4.3.3 饱和区电流响应
4.3.4 关键参数的热敏响应
4.3.5 MOSFET的击穿电压
4.3.6 MOSFET的亚阈区导电
4.4 频率响应
4.4.1 MOSFET的小信号交流参数
4.4.2 MOSFET的小信号高频等效电路
4.4.3 最高工作频率和最高振荡频率
4.5 思考题和习题4
第5章 现代半导体器件
5.1 Si基场效应晶体管
5.1.1 高K栅MOSFET
5.1.2 SOI MOSFET
5.1.3 FinFET
5.1.4 U-MOSFET
5.1.5 超结MOSFET
5.2 非Si基场效应晶体管
5.2.1 SiC MOSFET
5.2.2 GaN HEMT
5.2.3 Ga2O3器件
5.2.4 碳基纳米管器件
5.3 思考题和习题5
第6章 表征与测量
6.1 来料检查
6.1.1 表面缺陷检测
6.1.2 电阻率
6.1.3 几何尺寸
6.1.4 其他测试
6.2 工艺监控
6.2.1 工艺监控基础
6.2.2 量测
6.2.3 检测
6.2.4 复检
6.3 晶圆可接受测试
6.3.1 可接受测试基础
6.3.2 测试参数及方法
6.3.3 探针测试
6.4 测试
6.4.1 测试基础
6.4.2 封装工艺的测试
6.4.3 测试方法
6.4.4 测试参数
6.5 可靠性
6.5.1 可靠性测试
6.5.2 寿命试验
6.5.3 环境试验
6.5.4 电应力类试验
6.6 失效分析
6.6.1 失效分析基础
6.6.2 非破坏性分析
6.6.3 破坏性分析
6.7 思考题和习题6
参考文献