本书是21世纪大学新型参考教材系列之一，书中主要讲解半导体工程学基础、半导体中的电子和空穴、载流子输送现象、pn结和金属-半导体接触、二极管和双极晶体管、金属-绝缘体-半导体（MIS）结构基础等。

作者均为工作在微电子专业教学科研第一线的专家教授，书中内容新颖、重点突出，文字叙述深入浅出、流畅易懂。书中穿插有“篇外话”可作为正文内容的被充说明。各章末均有练习题，书后附有练习题解答。

本书可供大学生、硕士生及科技工作者阅读参考。

1 关导体工程学基础

2 半导体中的电子和空穴

3 载流子输运现象

4 pn结和金属-半导体接触

5 二极管和双极晶体管

6 金属-绝缘体-半导体（MIS）结构基础

附录 间接复合过程

练习题解答

参考文献

篇外话

决定是否导电的另一个原因是载流子的迁移率（mobility）的大小。迁移率与载流子通过什么样的散射体，多大程序上被散射有关。散射的原因有晶格振动、杂质、晶格畸变等等。