本书主要讲述了半导体硅材料的基本性质与半导体晶体材料相关的晶体几何学、能带理论以及微电子学方面的基础理论知识，并简单介绍了硅材料的制备及其加工等内容。

本书注重理论与实践的紧密结合，以职业岗位能力为主线贯穿全书，面向工作过程设计教学内容，突出应用性和实践性。

本书系统地介绍了半导体硅材料的基本性质、与半导体晶体材料相关的晶体几何学、能带理论、微电子学方面的基础理论知识，系统地介绍了作为光伏技术应用的硅材料的制备基础理论知识，为系统学习多晶硅生产技术和单晶硅及硅片加工技术奠定理论基础，是硅材料技术专业的核心教材。

本书可作为高职高专硅材料技术及光伏专业的教材，同时也可作为中专、技校和从事单晶硅生产的企业员工的培训教材，还可供相关专业工程技术人员学习参考。

第1章　概论

　1.1　硅材料工业的发展

　1.2　半导体市场及发展

　1.3　中国扩建新建多晶硅厂应注意的问题

　本章小结

　习题

第2章　半导体材料基本性质

　2.1　半导体材料的分类及性质

　2.2　硅的物理化学性质

　2.3　硅材料的纯度及多晶硅标准

　本章小结

　习题

第3章　晶体几何学基础

　3.1　晶体结构

　3.2　晶向指数

　3.3　晶面指数

　3.4　立方晶体

　3.5　金刚石和硅晶体结构

　3.6　倒格子

　本章小结

　习题

第4章　晶体缺陷

　4.1　点缺陷

　4.2　线缺陷

　4.3　面缺陷

　4.4　体缺陷

　本章小结

　习题

第5章　能带理论基础

　5.1　能带理论的引入

　5.2　半导体中的载流子

　5.3　杂质能级

　5.4　缺陷能级

　5.5　直接能隙与间接能隙

　5.6　热平衡下的载流子

　本章小结

　习题

第6章　p-n结

　6.1　p-n结的形成

　6.2　p-n结的制备

　6.3　p-n结的能带结构

　6.4　p-n结的特性

　本章小结

　习题

第7章　金属-半导体接触和MIS结构

　7.1　金属-半导体接触

　7.2　欧姆接触

　7.3　金属-绝缘层-半导体结构（MIS）

　本章小结

　习题

第8章　多晶硅材料的制取

　8.1　冶金级硅材料的制取

　8.2　高纯多晶硅的制取

　8.3　太阳能级多晶硅的制取

　本章小结

　习题

第9章　单晶硅的制备

　9.1　结晶学基础

　9.2　晶核的形成

　9.3　区熔法

　9.4　直拉法

　9.5　杂质分凝和氧污染

　9.6　直拉硅中的碳

　9.7　直拉硅中的金属杂质

　9.8　磁拉法（MCz）

　9.9　CCz法（连续加料法）

　本章小结

　习题

第10章　其他形态的硅材料

　10.1　铸造多晶硅

　10.2　带状硅材料

　10.3　非晶硅薄膜

　10.4　多晶硅薄膜

　本章小结

　习题

第11章　化合物半导体材料

　11.1　化合物半导体材料特性

　11.2　砷化镓（GaAs）

　本章小结

　习题

第12章　硅材料的加工

　12.1　切去头尾

　12.2　外径滚磨

　12.3　磨定位面（槽）

　12.4　切片

　12.5　倒角（或称圆边）

　12.6　研磨

　12.7　腐蚀

　12.8　抛光

　12.9　清洗

　本章小结

　习题

附录

　附录1　常用物理量

　附录2　一些杂质元素在硅中的平衡分凝系数、溶解度

参考文献