本书主要是结合微电子器件和电路来介绍Si1-xGex，材料的基本性质和制备技术、Si1-xGex/Si异质结、Si1-xGex/Si微电子器件及其电路的设计和制造等。对于Si1-xGex在光电子领域的应用也作了简要的介绍。讲述力求简明扼要，并能反映出最新的研究成果和发展动态。

本书以器件和集成电路为轴线，从基本概念到器件的原理、设计、制造和电路应用。比较全面地介绍了新近发展起来的SiGe微电子技术。全书共九章，內容涉及SiGe材料的性质、SiGe材料的制备、SiGe异质结构、SiGe异质结双极型晶体管、SiGe场效应晶体管、SiGe集成电路、SiGe器件及其电路的发展动态等，并对SiGe在光电子领域的应用作了简明的介绍。讲述简明扼要，并反映出了最新的研究成果和发展趋势。

本书可供在半导体器件、集成电路和相关领域工作的科技工作者参考，也可作为微电子技术、光电子技术、电子材料、电子元器件、电子物理、电子工程等领域大学本科生及研究生的教材。

第一章 SiGe技术的发展及其应用概述

 1.1 SiGe器件

1.1.1 SiGe双极型器件

1.1.2 SiGe场效应器件

1.1.3 SiGe光电器件

1.1.4 其他SiGe器件

 1.2 SiGe-HBT的主要应用

1.2.1 SiGe放大器

1.2.2 SiGe-A/D转换器

1.2.3 SiGe振荡器

1.2.4 SiGe混频器和倍增器、倍减器

1.2.5 SiGe-HBT的其他应用

 1.3 IBM SiGe技术的早期历史

1.3.1 SiGe技术的起源

1.3.2 SiGe-UHV/CVD技术的发明

1.3.3 最早采用更JHV/CVD技术制作的Si外延基区晶体管

1.3.4 IBM最早的SiGe基区晶体管

1.3.5 PNP-SiGe晶体管

1.3.6 fT为75GHz的SiGe基区晶体管

1.3.7 SiC-e外延基区晶体管(ETX)

1.3.8 SiGe技术的后续工作

 1.4 SiGe的主要厂商、工艺及代表产品

1.4.1 SiGe技术的两种主要工艺

1.4.2 IBM的SiGe-BiCMOS工艺及产品

1.4.3 Atmel妁SiGe技术

1.4.4 M axim的SiGe技术

1.4.5 Jazz半导体公司的SiGe技术

1.4.6 TSMC(台积电)的SiGe技术

1.4.7 SiGe半导体公司

1.4.8 Sirenza Microdevices的SiGe技术

 1.5 SiGe技术的市场和前景

 1.6 SiGe薄膜的制备工艺概述

 1.7 开发SiGe-HBT工艺的途径

1.7.1 采用低温外延技术淀积SiGe

1.7.2 SiGe-BiCMOS的工艺集成

1.7.3 SiGe-HBT的制作

1.7.4 其他元件的工艺技术

 1.8 SiGe技术的国内发展动态

 参考文献

第二章 Si1-Gex的基本物理特性

第三章 应变硅技术原理

第四章 SiGe导质结构

第五章 SiGe材料的主要制备技术

第六章 Si/SiGe导质结双极型晶体管

第七章 Si/SiGe导质结场效应晶体管

第八章 应变硅器件与电路

第九章 SiGe在光电子领域的应用

参考文献