本书主要介绍模拟集成电路的分析和设计，每章均配有基于华大九天Empyrean Aether的仿真实例，注重理论基础和实践的结合。全书共13章，前6章从半导体物理和器件物理的基础开始，逐步讲解并分析模拟集成电路中的各种基本模块；第7章介绍带隙基准电路；第8~10章主要讨论模拟电路的噪声、反馈和稳定性、运算放大器等内容；第11~13章针对常用的复杂模拟集成电路展开讨论，主要包括开关电容放大器、模数转换器与数模转换器、锁相环等。本书可供集成电路领域相关专业的高年级本科生和研究生，以及研究人员和工程技术人员参考。

第1章绪论
1.1模拟集成电路的应用
1.2模拟集成电路设计流程
1.3华大九天Empyrean Aether简介
第2章MOS器件的基础特性
2.1半导体物理基础
2.1.1单晶硅的晶体结构
2.1.2半导体能带理论及载流子浓度
2.1.3施主与受主杂质
2.1.4载流子的漂移运动和扩散运动
2.2PN结
2.3MIS结构
2.4MOSFET结构及其基本制造工艺流程
2.4.1MOSFET结构
2.4.2基本制造工艺流程
2.5MOSFET的电学特性
2.5.1阈值电压
2.5.2I-V特性分析
2.5.3MOS器件电容
2.5.4小信号模型
2.6MOSFET的I-V特性仿真分析
习题
参考文献
第3章基本放大器
3.1共源放大器
3.1.1采用电阻负载的共源放大器
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