半导体材料（semiconductor material）是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。半导体材料是一种具有极大影响力的功能材料，广泛应用于制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件等领域，支撑着通信、计算机、信息家电、网络技术、国防军工以及近年来兴起的光伏、LED等行业的发展。半导体材料及其应用已成为现代社会各个领域的核心和基础。本书汇集截至2022.5月现行的国家标准，共77个。

  
\tGB/T 1550-2018 非本征半导体材料导电类型测试方法



\tGB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法



\tGB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法



\tGB/T 1554-2009 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法



\tGB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法



\tGB/T 1557-2018 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法



\tGB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法



\tGB/T 4058-2009 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法



\tGB/T 4059-2018 硅多晶气氛区熔基磷检验方法



\tGB/T 4060-2018 硅多晶真空区熔基硼检验方法



\tGB/T 4061-2009 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法



\tGB/T 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法



\tGB/T 5252-2020 锗单晶位错密度的测试方法



\tGB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法



\tGB/T 6617-2009 硅片电阻率测定扩展电阻探针法



\tGB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法



\tGB/T 6619-2009 硅片弯曲度测试方法



\tGB/T 6620-2009 硅片翘曲度非接触式测试方法



\tGB/T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法



\tGB/T 6624-2009 硅抛光片表面质量目测检验方法



\tGB/T 8757-2006 砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法



\tGB/T 8758-2006 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法



\tGB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法



\tGB/T 11068-2006 砷化镓外延层载流子浓度 电容-电压测量方法



\tGB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法



\tGB/T 13387-2009 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法



\tGB/T 13388-2009 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法



\tGB/T 14140-2009 硅片直径测量方法



\tGB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法



\tGB/T 14142-2017 硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法



\tGB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法



\tGB/T 14146-2021 硅外延层载流子浓度的测定 电容-电压法



\tGB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法



\tGB/T 17170-2015 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法



\tGB/T 18032-2000 砷化镓单晶AB微缺陷检验方法



\tGB/T 19199-2015 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法



\tGB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的测定-间隙氧含量减少法



\tGB/T 19921-2018 硅抛光片表面颗粒测试方法



\tGB/T 19922-2005 硅片局部平整度非接触式标准测试方法



\tGB/T 23513.1-2009 锗精矿化学分析方法第1部分：锗量的测定碘酸钾滴定法



\tGB/T 23513.2-2009 锗精矿化学分析方法第2部分：砷量的测定硫酸亚铁铵滴定法



\tGB/T 23513.3-2009 锗精矿化学分析方法第3部分：硫量的测定硫酸钡重量法



\tGB/T 23513.4-2009 锗精矿化学分析方法第4部分：氟量的测定离子选择电极法



\tGB/T 23513.5-2009 锗精矿化学分析方法第5部分：二氧化硅量的测定重量法



\tGB/T 24574-2009 硅单晶中Ⅲ-V族杂质的光致发光测试方法



\tGB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法



\tGB/T 24576-2009 高分辨率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法



\tGB/T 24577-2009 热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物



\tGB/T 24578-2015 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法



\tGB/T 24579-2009 酸浸取原子吸收光谱法测定 多晶硅表面金属污染物



\tGB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法



\tGB/T 24581-2022 硅单晶中Ⅲ、V族杂质含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法



\tGB/T 24582-2009 酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定 多晶硅表面金属杂质



\tGB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法



\tGB/T 26067-2010 硅片切口尺寸测试方法



\tGB/T 26068-2018 硅片和硅锭载流子复合寿命的测试非接触微波反射光电导衰减法



\tGB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法



\tGB/T 26074-2010 锗单晶电阻率直流四探针测量方法



\tGB/T 26289-2010 高纯硒化学分析方法硼、铝、铁、锌、砷、银、锡、锑、碲、汞、镁、钛、镍、铜、镓、镉、铟、铅、铋量的测定电感耦合等离子体质谱法



\tGB/T 29056-2012 硅外延用三氯氢硅化学分析方法硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷和锑量的测定 电感耦合等离子体质谱法



\tGB/T 29057-2012 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程



\tGB/T 29505-2013 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法



\tGB/T 29507-2013 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法



\tGB/T 2984.9-2013 光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法



\tGB/T 29850-2013 光伏电池用硅材料补偿度测量方法



\tGB/T 29851-2013 光伏电池用硅材料中B、Al受主杂质含量的二次离子质谱测量方法



\tGB/T 29852-2013 光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量的二次离子质谱测量方法



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