本书是邹志革副教授从事“CMOS模拟集成电路设计”课程教学20年的阶段性总结，也是其为企业合作完成20余颗模拟芯片设计的总结。作者站在了教授、学生、工程等多个角度，介绍模拟集成电路设计中最核心、最基础的概念和电路，力求去繁求简、力求深入浅出。最吸引读者的是，本书既适合课堂教学，也适合读者自学。本书约200个知识点，且每个知识点均安排了两个二维码，扫描相应二维码，可以看到该知识点的慕课课程视频，也可以登录云平台实时开展该电路的实时在线仿真。该仿真云平台，是符合业界标准的工业用EDA软件平台。针对每个电路，教材还提出了多个思考问题，读者在自行仿真时，可以验证这些问题的答案。为方便读者自行仿真并验证问题，本书还提供了所有案例的仿真电路图、部分电路网表、仿真波形。特别的，本书还特别提示读者可以修改电路中的部分参数，观看仿真结果的变化，并和之前的仿真结果进行比较，更加有利于初学者掌握电路的原理。这对于无法接近用理论公式推导来指导设计的模拟集成电路而言，表现出了特殊的意义。

  
\t本书从CMOS集成电路设计的基本理论中精炼出119个知识点，结合微课和案例仿真的多种形式，深入浅出地讲解了CMOS模拟集成电路的基本原理、分析和设计方法。本书采用湖北九同方微电子有限公司提供的云平台EDA软件完成了所有电路的仿真。



\t全书分为十章，基本涵盖了国内普通高校讲授模拟集成电路的课程大纲。第1章至第9章介绍MOS工艺中的器件、单管放大器、差分放大器、电流源和电流镜、放大器的频率特性、反馈结构、讲述运算放大器、频率稳定性和频率补偿、基准电压源和电流源；第10章讲述了一个实际带隙基准源电路的设计流程和仿真方法。全书提供了240余个二维码，读者扫码可以观看微课视频以及电路仿真案例。



\t本书可以作为高等院校电子信息类本科生的教材，也可以作为国外经典教材的补充阅读材料和参考书。

1CMOS工艺中的器件/1
1.1MOS器件的I-V特性/1
1.2MOS管跨导/8
1.3MOS管的衬底偏置效应/13
1.4沟长调制效应与小信号输出电阻/18
1.5三极管区MOS管的电阻/21
1.6沟长与沟长调制效应/23
1.7MOS器件电容/26
1.8MOS管的特征频率fT/32
1.9跨导效率gm/ID/34
1.10MOS管的本征增益/36
1.11MOS管内阻和传输门/38
1.12MOS管的并联与串联/43
1.13工艺角模型/46
1.14MOS工艺下的晶体管/49
1.15无源电阻/53
1.16无源电容/57
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