本书系统地介绍了辐射对电子系统的损伤机理、加固技术和实践、辐射测试技术等研究内容，并阐述了抗辐射加固技术的发展趋势。第1章和第2章介绍了辐射环境与基本辐射效应、半导体器件的辐射效应损伤机理，并介绍了SiGe HBT BiCMOS工艺的辐射特性；第3～5章介绍了从工艺、版图和电路等方面进行抗辐射加固的技术；第6章针对模拟/混合信号集成电路加固技术的案例进行了研究；第7章和第8章介绍了模拟/混合信号集成电路辐射测试技术和抗辐射加固发展趋势。
本书适合研究辐射效应与抗辐射加固技术的相关专业本科生和研究生使用，也可供相关工程技术人员和科研人员学习、参考。

第1章辐射环境与基本辐射效应
1.1空间辐射环境
1.2基本辐射效应
本章参考文献
第2章半导体器件的辐射效应损伤机理
2.1总剂量效应对半导体器件的损伤机理
2.2单粒子效应对集成电路的损伤机理
2.3CMOS工艺辐射效应机理
2.4 SiGe HBT BiCMOS工艺
本章参考文献
第3章工艺抗辐射加固技术
3.1CMOS工艺衬底选择
3.2CMOS工艺氧化工序
3.3CMOS三阱工艺
3.4CMOS工艺尺寸对抗辐射性能的影响
3.5双极工艺优化技术
本章参考文献
第4章版图抗辐射加固技术
4.1环栅晶体管
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