本书以英语作为载体，介绍了半导体物理的基本理论、半导体器件原理及MEMS设计的相关知识。主要内容包括：半导体、杂质、能带、晶格等基本概念，二极管的结构、电流一电压特性、开关特性，双极型、MOS晶体管的电流一电压方程、瞬变特性、开关特性、击穿特性及较新的结构设计，同时介绍了MEMS的基本概念、设计方法、应用及未来发展方向。

本书较全面、系统地介绍了半导体物理的基本理论、半导体器件原理及MEMS设计的相关知识。主要内容包括：半导体、杂质、能带、晶格等基本概念，二极管的结构、电流－电压特性、开关特性，双极型、MOS晶体管的电流、电压方程、瞬变特性、开关特性、击穿特性及较新的结构设计，同时介绍了MEMS的基本概念、设计方法、应用及未来发展方向。

本书可以作为高等学校微电子、集成电路专业本科生专业英语教材，也可供从事相关领域科研工作的技术人员阅读参考。

1　半导体基础

　1.1　半导体材料

　1.2　晶体结构

　1.3　波尔原子模型

　1.4　固体材料价键模型

　1.5　固体材料的能带模型

　1.6　半导体中的自由载流子密度

　1.7　施主杂质与受主杂质

2　载流子的输运与复合

　2.1　电子与空穴的散射与漂移

　2.2　漂移电流

　2.3　载流子扩散

　2.4　载流子产生与复合过程

3　二极管特性

　3.1　介绍

　3.2　理想PN结(定性)

　3.3　理想同质PN结(定量)

　3.4　PN结小信号阻抗

　3.5　二极管的开关特性

4　双极型晶体管的静态特性

　4.1　介绍

　4.2　输出特性

　4.3　电流增益

　4.4　理想晶体管模型

　4.5　缓变基区晶体管

　4.6　基区宽度调变效应(EARLY效应)

　4.7　晶体管的电流集边效应与基区电阻

　4.8　大注入效应

　4.9　基区扩展效应(KIRK效应)

　4.10　发射结的复合

　4.11　击穿电压

　4.12　直流EBERS-MOLL基本模型

5　双极型晶体管的动态特性

　5.1　交流EBERS-MOLL模型

　5.2　小信号等效电路

　5.3　双极型晶体管的储藏电荷电容

　5.4　晶体管的频率响应

　5.5　高频晶体管

　5.6　开关晶体管

6　MOSFET晶体管的静态特性

　6.1　介绍

　6.2　MOS结构特性

　6.3　MOSFET晶体管的电流电压方程

　6.4　横向电场＆L与纵向电场＆L的影响

　6.5　沟道电荷QCH讨论

　6.6　MOSFET晶体管的阈电压

7 MOSFET晶体管的动态特性

 7.1 介绍

 7.2 阈电压与低场迁移率的测量

 7.3 亚阈值条件下的电流

 7.4 CMOSFETs

 7.5 CMOS反转电流作用下的开关特性

 7.6 MOSFET晶体管的开关特性

 7.7 电流增益截止频率

 7.8 MOSFET晶体管短沟道效应

 7.9 MOSFET晶体管的比例

 7.10 SOI结构上的MOSFEI晶体管

 7.11 MOS电容

 7.12 其他场效应晶体管

8 MEMS工艺微电子机械系统

 8.1 介绍

 8.2 微机电加工系统(MEMS)

 8.3 MEMS制备工艺

 8.4 MEMS传感器

 8.5 MEMS发展展望

附录

 附录1

 附录2

参考文献